发明名称 具有电子复合抑制结构层的染料敏化纳米薄膜太阳电池及制备
摘要 具有电子复合抑制结构层的染料敏化纳米薄膜太阳电池,电池结构为ITO/TiO2电极并吸附染料分子/电解质/电子复合抑制结构/Pt对电极/ITO,且在ITO基板上将吸附染剂分子之TiO2电极与对电极间加入电解质组成电池直接叠加在一起,并使用封装树脂将电池周边封装密闭电解液;所述电子复合抑制结构是:在对电极上或/与TiO2电极上均蒸发或溅射的氧化铝、氧化硅、聚合物或P型半导体材料。
申请公布号 CN101447342B 申请公布日期 2011.08.17
申请号 CN200810244016.1 申请日期 2008.12.18
申请人 南京大学 发明人 邹志刚;田汉民;张继远;元世魁;张晓波;王湘艳;田志鹏;薛国刚;于涛
分类号 H01G9/20(2006.01)I;H01G9/004(2006.01)I;H01M14/00(2006.01)I 主分类号 H01G9/20(2006.01)I
代理机构 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人 汤志武;王鹏翔
主权项 具有电子复合抑制结构层的染料敏化纳米薄膜太阳电池的制备方法,其特征是太阳电池的结构为ITO/TiO2电极并吸附染料分子/电解质/电子复合抑制结构层/Pt对电极/ITO染料敏化纳米薄膜太阳电池,且所述电子复合抑制结构层是在Pt对电极上或/与TiO2电极上溅射氧化铝,方法是:通过离子溅射方式,即在真空控制负压或气流的条件下溅射高纯铝片靶材,直到所需要的厚度;制备出光滑致密、高强度、低介电损耗和性能稳定的氧化铝层;且通过掩膜控制得到条纹状氧化铝电子复合抑制层,并以此部件组装成染料敏化太阳电池;通过调整其电子复合抑制结构层的厚度,控制电池正负极的距离,距离范围为30nm‑100微米。
地址 210093 江苏省南京市汉口路22号