发明名称 |
一种叠层型电子元器件制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种叠层型电子元器件制造方法,在浆料填孔之前依次有以下步骤:1)流延形成陶瓷生片;2)开设通孔,其特征在于:开设通孔包括先在支撑体薄片开孔,以及后在承载片和放置在承载片片底面的陶瓷生片依次开孔。本发明与现有技术对比的有益效果是:在激光开孔过程中能有效避免陶瓷生片通孔周围堆积陶瓷粉尘,明显提高叠层型陶瓷电子元器件层间连接可靠性,较大幅度的提高电极导通率。本发明的制造方法可以广泛应用于制造铁氧体材料叠层型陶瓷电子元器件,也可以广泛应用于制造玻璃陶瓷、氧化锌陶瓷叠层型电子元器件。 |
申请公布号 |
CN102157254A |
申请公布日期 |
2011.08.17 |
申请号 |
CN201010577304.6 |
申请日期 |
2010.12.07 |
申请人 |
深圳顺络电子股份有限公司 |
发明人 |
伍检灿;戴春雷;刘宁;孙峰 |
分类号 |
H01C7/02(2006.01)I;H01C7/04(2006.01)I;H01C17/00(2006.01)I;H01F41/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01C7/02(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 |
代理人 |
张皋翔 |
主权项 |
一种叠层型电子元器件制造方法,在浆料填孔之前依次有以下步骤:1)流延形成陶瓷生片;2)开设通孔,其特征在于:所述开设通孔包括先在支撑体薄片开孔,以及后在承载片和放置在承载片片底面的陶瓷生片依次开孔。 |
地址 |
518110 广东省深圳市宝安区观光路观澜大富苑顺络工业园 |