| 发明名称 | 通过外延层过成长的元件形成 | ||
| 摘要 | 本发明提供了用于通过使用深宽比捕捉(ART)与外延侧向成长(ELO)技术在包括如晶格失配材料的基板上形成如太阳能电池的装置的方法与结构。一般地，在一第一方面中，本发明的实施例可包括一种形成结构的方法。该方法包括在设置于包括一第一半导体材料的一基板上方的一掩模层内形成一第一开口。在该第一开口内形成包括晶格失配于该第一半导体材料的一第二半导体材料的一第一膜层。该第一膜层具有足够延伸至高于该掩模层的一顶面的一厚度。在该第一膜层上以及该掩模层的至少一部分上方形成包括该第二半导体材料的一第二膜层。该第一膜层的垂直成长速率高于该第一膜层的一侧向成长速率，而该第二膜层的一侧向成长速率高于该第二膜层的一垂直成长速率。 | ||
| 申请公布号 | CN102160145A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN200980136547.1 | 申请日期 | 2009.09.18 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 詹姆斯·费兰札;安东尼·罗特费尔德;白杰;朴志洙;珍妮佛·海克;李继忠;陈志源 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;刘文意 |
| 主权项 | 一种形成结构的方法，包括：在设置于一基板上的一掩模层中形成一第一开口，其中该基板包括一第一半导体材料；在该第一开口内形成包括晶格失配于该第一半导体材料的一第二半导体材料的一第一膜层，该第一膜层具有足够延伸至高于该掩模层的一顶面的一厚度；以及在该第一膜层之上以及该掩模层的至少一部分上形成包括该第二半导体材料的一第二膜层，其中该第一膜层的垂直成长速率高于该第一膜层的一侧向成长速率，而该第二膜层的一侧向成长速率高于该第二膜层的一垂直成长速率。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||