半导体器件和制造半导体器件的方法

摘要

一种半导体器件及其制造方法，这种半导体器件具有包括TMR膜的存储单元，利用它不会使存储器精度退化。在平面图中数字线的形成区的部分中的TMR下电极上相对应的区内，选择地形成TMR元件(TMR膜、TMR上电极)。TMR上电极由30nm至100nm的Ta形成，并且在制造过程时还起硬掩模的作用。在TMR元件的整个表面和TMR下电极的上表面上形成由LT-SiN形成的夹层绝缘膜，并且形成覆盖包括TMR下电极的侧表面的整个表面而且包括LT-SiN的夹层绝缘膜。形成覆盖整个表面而且包括SiO2的夹层绝缘膜。

主权项

一种半导体器件，包括：第一夹层绝缘膜，在半导体衬底之上形成；下层布线，穿透所述第一夹层绝缘膜，并且选择地形成；和第二夹层绝缘膜，在包括所述下层布线的所述第一夹层绝缘膜上方形成；其中，所述第二夹层绝缘膜具有通孔，在那里所述下层布线的至少一部分构成底部；而且还包括下电极，在所述第二夹层绝缘膜上方形成；其中所述下电极通过所述通孔与所述下层布线电连接；而且还包括TMR元件，在所述下电极上方的一部分的上方选择地形成，并且包括TMR膜和上电极的层叠结构；以及绝缘膜，在所述下电极上方形成；其中，在所述第二夹层绝缘膜上方，所述绝缘膜和所述下电极这两者均在同一方向具有侧表面；并且所述下电极的侧表面从所述绝缘膜凹下而形成；而且还包括端部氧化区，该端部氧化区邻接所述下电极的侧表面，并且形成在绝缘膜下部分。