发明名称 重叠标记及其形成方法与应用
摘要 一种重叠标记,包括下晶圆层的一部分,其中有二X向与二Y向沟渠,并包括由定义上晶圆层的微影制程所形成的二X向与二Y向条状光阻图形,其被前述沟渠围绕。定义下晶圆层的图案化制程与前述微影制程二者中至少有一者包括两次曝光步骤,分别用以定义第一元件区与第二元件区。当前述图案化制程包括两次曝光步骤时,一X向与一Y向沟渠同时定义,另一X向与另一Y向沟渠同时定义。当前述微影制程包括两次曝光步骤时,一X向与一Y向条状光阻图形同时定义,另一X向条状光阻图形与另一向条状光阻图形同时定义。
申请公布号 CN101312180B 申请公布日期 2011.08.17
申请号 CN200710105213.0 申请日期 2007.05.21
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 黄志豪
分类号 H01L23/544(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I 主分类号 H01L23/544(2006.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人 寿宁;张华辉
主权项 一种重叠标记,用以检查经过一图案化制程的一下晶圆层与定义一上晶圆层的一微影制程之间的对准度,其特征在于其包括:该下晶圆层的一部分,其中有一第一X向沟渠、一第一Y向沟渠、一第二X向沟渠及一第二Y向沟渠;以及由该微影制程所形成的一第一X向、一第一Y向、一第二X向及一第二Y向条状光阻图形,位于该部分的该下晶圆层的上方,且被该些沟渠所围绕,其中该图案化制程与该微影制程二者中至少有一者包括两次曝光步骤,分别用以定义一第一元件区与一第二元件区;当该图案化制程包括两次曝光步骤时,该第一X向沟渠与该第一Y向沟渠同时定义,且该第二X向沟渠与该第二Y向沟渠同时定义;并且当该微影制程包括两次曝光步骤时,该第一X向条状光阻图形与该第一Y向条状光阻图形同时定义,且该第二X向条状光阻图形与该第二Y向条状光阻图形同时定义。
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行路16号