发明名称 |
硅薄膜/铜铟镓硒双结薄膜电池工艺 |
摘要 |
本发明是以硅薄膜为衬底的铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2简称CIGS)薄膜双结太阳电池,采用多种薄膜沉积技术制备出该双结太阳电池。该双结太阳电池分为上电池和下电池。巧妙的将下电池薄膜化,提高了下电池的性能。能够解决在多晶硅太阳电池生产过程中出现的工艺复杂,能耗高等问题,并且将铜铟镓硒薄膜上电池很好的和下电池结合,解决了CIGS薄膜太阳电池生产过程中出现的稳定性差等问题。最终提高叠层电池的各项性能。该双结薄膜电池具有较低的生产成本,较高的稳定性,很长的使用寿命,以及较高光电转换效率,因此该双结薄膜电池具有比较好的开发和应用价值。 |
申请公布号 |
CN102157595A |
申请公布日期 |
2011.08.17 |
申请号 |
CN201110030256.3 |
申请日期 |
2011.01.28 |
申请人 |
南昌航空大学 |
发明人 |
王应民;张婷婷;蔡莉;李清华;李禾;程泽秀 |
分类号 |
H01L31/078(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/078(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
硅薄膜/铜铟镓硒双结薄膜电池其特征在于:结合了硅薄膜和铜铟镓硒薄膜太阳电池特点,提高双结薄膜电池的光电转换效率。 |
地址 |
330063 江西省南昌市丰和南大道696号 |