单基板多芯片组大功率LED封装一次键合方法

摘要

单基板多芯片组大功率LED封装一次键合方法，属于多芯片组大功率LED封装技术领域。它解决了现有多芯片组大功率LED封装技术中对多芯片的粘接依次进行，导致整体键合时间过长的问题。它包括以下步骤：清洗基板、载片台、多芯片吸嘴及支撑台；将基板置于支撑台上；确定基板正面上芯片待键合位置，将多颗待键合芯片按照与所述芯片待键合位置相对应的排布放在载片台上；通过丝网印刷将焊膏均匀涂覆在所述的芯片待键合位置处，然后用多芯片吸嘴同时拾取多颗待键合芯片；在基板背面加热，将多颗待键合芯片对准待键合位置贴附在焊膏上，加热持续5s至10s后，自然冷却至室温，移走多芯片吸嘴，完成键合。本发明是一种封装键合方法。

主权项

一种单基板多芯片组大功率LED封装一次键合方法，其特征在于：它包括以下步骤：步骤一：清洗基板(1)、载片台(2)、多芯片吸嘴(3)及支撑台(4)；步骤二：将基板(1)置于支撑台(4)上；确定基板(1)正面上芯片待键合位置，将多颗待键合芯片(5)按照与所述芯片待键合位置相对应的排布放在载片台(2)上；步骤三：通过丝网印刷将焊膏均匀涂覆在所述的芯片待键合位置处，然后用多芯片吸嘴(3)同时拾取多颗待键合芯片(5)；步骤四：采用热源在基板(1)背面进行加热，将多芯片吸嘴(3)拾取的多颗待键合芯片(5)对准所述的待键合位置放置，使多颗待键合芯片(5)贴附在焊膏上，加热持续5s至10s后，自然冷却至室温，移走多芯片吸嘴(3)，完成键合。