在衬底窗区域上具有减少构形的SOI半导体器件

摘要

本发明是关于在衬底窗区域上具有减少构形的SOI半导体器件。在先进的SOI器件中，如衬底二极管的电路元件，在衬底窗的基础上，可形成在结晶衬底材料中，其中，在形成半导体器件的接触层时，通过执行额外的平坦化工艺，如平坦化材料的沉积，以及随后的蚀刻工艺，可补偿或至少减少突出的表面构形。

主权项

一种形成SOI半导体器件的方法，包括下列步骤：曝露所述SOI半导体器件的结晶衬底材料的部分；形成多数个电路元件在所述结晶衬底材料的所述曝露的部分；形成晶体管在所述SOI半导体器件的半导体层中，所述半导体层形成在所述结晶衬底材料和埋入绝缘层上；形成电介质材料在所述多数个电路元件和所述晶体管上；形成平坦化材料在所述电介质材料上；通过使用所述平坦化材料平坦化所述电介质材料；以及形成接触元件在所述平坦化的电介质材料中，用以连接所述晶体管和所述多数个电路元件。