发明名称 |
有机电激发光元件的制造方法及影像显示系统 |
摘要 |
一种有机电激发光元件的制造方法,包括:提供一基板,该基板包括一第一元件区域与一第二元件区域;形成一非晶硅层于该基板上方;形成一保护膜于该第二元件区域内的部份该非晶硅层上方;对该非晶硅层进行一准分子激光退火工艺,以将该非晶硅层转化为一多晶硅层;移除该保护膜;以及图案化该多晶硅层,以在该第一元件区域形成一第一图案化多晶硅层,及在该第二元件区域形成一第二图案化多晶硅层,其中该第一图案化多晶硅层的晶粒尺寸大于该第二图案化多晶硅层,藉此形成一有机电激发光元件。 |
申请公布号 |
CN102157444A |
申请公布日期 |
2011.08.17 |
申请号 |
CN201110067501.8 |
申请日期 |
2006.10.27 |
申请人 |
奇美电子股份有限公司 |
发明人 |
詹川逸;刘俊彦;曾章和 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;G09F9/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
邱军 |
主权项 |
一种有机电激发光元件的制造方法,包括:提供基板,该基板包括含有多个像素的像素区域,其中每一像素内包括第一元件区域与第二元件区域;形成图案化保护膜于该第二元件区域上方;形成非晶硅层于该基板与该图案化保护膜上方;对该非晶硅层进行一准分子激光退火工艺以将该非晶硅层转化为多晶硅层;以及图案化该多晶硅层,以在该第一元件区域形成第一图案化多晶硅层,及在该第二元件区域形成第二图案化多晶硅层,其中该第一图案化多晶硅层的晶粒尺寸大于该第二图案化多晶硅层,藉此形成有机电激发光元件,其中该图案化保护膜的热传导系数大于该基板和该非晶硅层的热传导系数。 |
地址 |
中国台湾苗栗县 |