一种In-Se基热电材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种In-Se基热电材料的制备方法，该方法首先采用熔炼法合成In-Se材料，得到元素分布均匀的In-Se化合物，然后采用区熔生长法，通过优化熔融温度、熔区宽度、生长速度等工艺参数，制备具有良好晶粒取向性的In-Se基大块多晶材料。与现有的熔炼、球磨结合热压或放电等离子烧结制备工艺相比，本发明的制备方法能够得到晶粒取向性好、热电性能高的In-Se基热电材料，同时能够缩短制备时间、降低能耗。

主权项

一种In‑Se基热电材料的制备方法，其特征是：包括如下步骤：步骤1、采用熔炼法合成In‑Se材料：首先按照一定的配比称取原材料：铟粒或铟粉，以及硒粒或硒粉，然后将原材料放入经过清洗的石英管中，对石英管抽真空至10‑3torr以下，接着将石英管口进行密封，之后将石英管置于熔炼炉中，在580℃～900℃熔炼1小时～12小时，最后使石英管冷却至室温，石英管内的熔体凝成锭块；步骤2、采用区熔生长法制备In‑Se大块多晶材料：将步骤1得到的密封石英管放入区熔炉中，设定熔融温度为500℃～900℃；熔区宽度为5mm～30mm；生长速度为5mm/h～30mm/h，得到In‑Se大块多晶材料。