发明名称 |
具有改进的读取可靠性的非易失性存储设备 |
摘要 |
提供了一种存储系统、非易失性存储设备及操作其的方法。存储系统包括其中含有多行非易失性多位(例如,N位,其中N>2)存储单元的至少一个非易失性存储阵列。也提供电耦接到所述非易失性存储阵列的控制电路。所述控制电路被配置为利用第一读取电压序列将至少两页数据编程到非易失性存储阵列中的第一行非易失性多位存储单元中,以验证在所述第一行内存储的数据的准确性。所述控制电路也被配置为利用不同于第一读取电压序列的第二读取电压序列从第一行读取至少两页数据。第一读取电压序列中的读取电压的每一个在幅度上可以等于第二读取电压序列中的相应读取电压。 |
申请公布号 |
CN102157201A |
申请公布日期 |
2011.08.17 |
申请号 |
CN201110033011.6 |
申请日期 |
2011.01.30 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
蔡东赫 |
分类号 |
G11C16/10(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
邵亚丽 |
主权项 |
一种存储系统,包括:非易失性存储阵列,其中含有多行非易失性多位存储单元;以及控制电路,电耦接到所述非易失性存储阵列,所述控制电路被配置为利用第一读取电压序列将至少两页数据编程到所述非易失性存储阵列中的非易失性多位存储单元的第一行,以验证在第一行内所存储的数据的准确性,并且也被配置为利用不同于第一读取电压序列的第二读取电压序列从第一行中读取至少两页数据。 |
地址 |
韩国京畿道 |