| 发明名称 | 具有垂直结构的发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有垂直结构的发光二极管及其制造方法，本发明公开一种具有垂直结构的发光二极管(LED)及其制造方法。该具有垂直结构的发光二极管(LED)包括：支撑层；在该支撑层上形成的第一电极；在该第一电极上形成的多个半导体层；导电型半导体层，其形成在该多个半导体层上，并且设置有具有指定角度的倾角的外表面；以及在该导电型半导体层上形成的第二电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102157644A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN201110094682.3 | 申请日期 | 2006.12.15 |
| 申请人 | LG电子株式会社;LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 金钟旭;崔在完;曹贤敬;罗钟浩;张峻豪 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 戚传江;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种制造发光二极管的方法，包括：在衬底上形成具有第一表面的基于GaN的半导体结构，所述半导体结构具有多层结构，其中，所述半导体结构包括具有带倾角的侧表面的导电半导体层；在所述半导体结构的第二表面上形成第一电极；在所述第一电极上形成支撑层；分离所述衬底；以及在所述半导体结构的所述第一表面上形成第二电极，其中，通过氢化物气相外延方法形成所述导电半导体层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||