| 发明名称 | 氮化硅的选择性蚀刻 | ||
| 摘要 | 本文提供蚀刻含硅与氮的介电层的方法。某些实施例中，上述方法可包括提供具有含硅与氮的介电层配置于上的基板；利用远端等离子体自包含氢气(H2)与三氟化氮(NF3)的工艺气体形成反应物种；并利用反应物种蚀刻介电层。某些实施例中，氧化物层配置为邻近于介电层。某些实施例中，工艺气体的流率比可经调整以致介电层相对氧化物层或基板的至少一者的蚀刻选择比介于约0.8至约4之间。 | ||
| 申请公布号 | CN102160154A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN200980137229.7 | 申请日期 | 2009.10.06 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | 卢欣亮;杨海春;葛振宾;卢楠;戴维·T·奥;希恩-坦恩·卡欧;梅·常 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;钟强 |
| 主权项 | 一种蚀刻介电层的方法，至少包括：提供基板，其具有包含硅与氮的介电层；利用远端等离子体自包含氢气(H2)与三氟化氮(NF3)的工艺气体形成反应物种；及利用该反应物种蚀刻该介电层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||