具有加强的穿过基板一致性的包埋硅/锗材料的晶体管

摘要

在精密半导体装置中，以湿化学蚀刻形成凹槽，应变诱导半导体合金可被定位接近信道区域，对于不同结晶位向具有非等向性蚀刻作用。在一实施例中，可使用TMAH，除了非等向性蚀刻作用之外，对于二氧化硅具有高蚀刻选择性，因而使得非常薄的蚀刻停止层额外提供减少从信道区域偏移的可能性，而不会过度贡献至整体工艺变化性。

主权项

一种方法，包括：在包含硅的结晶半导体区域上方形成的晶体管的栅极电极结构的暴露表面区域上，形成介电蚀刻停止材料；进行湿化学蚀刻工艺，在相邻所述栅极电极结构的所述结晶半导体区域中形成凹槽，在所述结晶半导体区域的至少两种不同结晶位向中具有不同的移除速度；进行选择性磊晶成长工艺，至少在所述凹槽中形成应变诱导半导体合金；以及至少在一部份的所述应变诱导半导体合金中，形成汲极与源极区域。