| 发明名称 | 晶圆表面液体喷出装置 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWM409522 | 申请公布日期 | 2011.08.11 |
| 申请号 | TW099225379 | 申请日期 | 2010.12.29 |
| 申请人 | 大河科技有限公司 | 发明人 | 刘家宽 |
| 分类号 | H01L21/30 | 主分类号 | H01L21/30 |
| 代理机构 | 代理人 | 陈瑞田 高雄市凤山区建国路3段256之1号;康清敬 高雄市凤山区建国路3段256之1号 | |
| 主权项 | 一种晶圆表面液体喷出装置，系应用于一晶圆置于一旋转机上进行自旋的晶圆表面液体喷出处理之装置，其特征在于该装置包括：一液体供给槽，用以供应液体；一气体供给槽，用以供应气体；及一二流体喷嘴，其连接该液体供给槽及该气体供给槽，使液体及气体可同时由该二流体喷嘴喷出。如申请专利范围第1项所述之晶圆表面液体喷出装置，其中，该二流体喷嘴系雾状喷出前述液体至晶圆表面。如申请专利范围第1项所述之晶圆表面液体喷出装置，其中，该二流体喷嘴系为扇形二流体喷嘴，用以扇形状且流量分布均等的喷出液体及气体。如申请专利范围第3项所述之晶圆表面液体喷出装置，其中，该二流体喷嘴扇形状喷出前述液体落在晶圆表面系成为一长条状。如申请专利范围第1项所述之晶圆表面液体喷出装置，其中，该二流体喷嘴距晶圆表面高度系10mm至30mm。如申请专利范围第1项所述之晶圆表面液体喷出装置，其中，该液体系为去离子水。如申请专利范围第1项所述之晶圆表面液体喷出装置，其中，该液体系为蚀刻液。如申请专利范围第1项所述之晶圆表面液体喷出装置，其中，该气体系为惰性气体。如申请专利范围第1项所述之晶圆表面液体喷出装置，其中，该气体系为氮气。 | ||
| 地址 | 新竹市南大路748巷28弄20号 | ||