发明名称 交流直流转换装置及其功率因数改善回路及使用其之电子装置
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.08.11
申请号 TW095131034 申请日期 2006.08.23
申请人 佳世达科技股份有限公司 发明人 陈启仁
分类号 G05F1/70;H02M7/12 主分类号 G05F1/70
代理机构 代理人 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2
主权项 一种功率因数改善(Power Factor Correction,PFC)回路,包括:一开关;一功率控制晶片,接收一展频(spread spectrum)同步讯号,该功率控制晶片系依据该展频同步讯号之可变化的频率以一控制讯号控制该开关;一电感,具一第一端及一第二端,该第一端接收一第一电压,该开关系耦接于该第二端与一低电位之间;一第一二极体,阳极与该电感之该第二端耦接;以及一第一电容,一端与该第一二极体之阴极耦接并产生一第二电压,另一端与该低电位耦接;其中该展频同步讯号系由一返驰式转换器(Flyback Converter)提供,该返驰式转换器包括:一功率模组晶片;一变压器,包括:一第一一次侧线圈,一端接收该第二电压,另一端接收该功率模组晶片之一第二控制讯号;一二次侧线圈,对应该第一一次侧线圈之该第二电压产生一第三电压;及一第二一次侧线圈,对应该第一一次侧线圈之该第二电压,产生该展频同步讯号;一第二二极体,该第二二极体之阳极与该二次侧线圈之一端耦接,该二次侧线圈之另一端与该低电位耦接;及一第二电容,一端与该第二二极体之阴极耦接并产生一输出电压,另一端与该低电位耦接。如申请专利范围第1项所述之回路,其中该开关系为一金属氧化半导体场效电晶体(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET),该电晶体之闸极系接收该控制讯号,该电晶体之汲极系与该电感之该第二端耦接,该电晶体之源极系耦接至该低电位。一种功率因数改善回路,包括:一开关;以及一功率控制晶片,接收一展频同步讯号,该功率控制晶片系依据该展频同步讯号之可变化的频率以一控制讯号控制该开关;其中该展频同步讯号系由一返驰式转换器提供,该返驰式转换器包括:一功率模组晶片;一变压器,包括:一第一一次侧线圈,一端接收一第二电压,另一端接收该功率模组晶片之一第二控制讯号;一二次侧线圈,对应该第一一次侧线圈之该第二电压产生一第三电压;一第二一次侧线圈,一端耦接至一低电位,对应该第一一次侧线圈之该第二电压,产生一第四电压;及一辅助线圈,与该第二一次侧线圈耦接至该低电位之一端耦接,依该第一一次侧线圈之该第二电压产生该展频同步讯号;以及一第二二极体,该第二二极体之阳极与该二次侧线圈之一端耦接,该二次侧线圈之另一端与该低电位耦接。如申请专利范围第3项所述之功率因数改善回路,更包括:一电感,具一第一端及一第二端,该第一端接收一第一电压,该开关系耦接于该第二端与该低电位之间;一第一二极体,阳极与该电感之该第二端耦接;以及一第一电容,一端与该第一二极体之阴极耦接并产生该第二电压,另一端与该低电位耦接。如申请专利范围第4项所述之功率因数改善回路,其中,该返驰式转换器更包括:一第二电容,一端与该第二二极体之阴极耦接并产生一输出电压,另一端与该低电位耦接。如申请专利范围第5项所述之功率因数改善回路,其中该开关系为一金属氧化半导体场效电晶体,该电晶体之闸极系接收该控制讯号,该电晶体之汲极系与该电感之该第二端耦接,该电晶体之源极系耦接至该低电位。一种交流直流转换装置,包括:一功率因数改善回路,包括:一开关;以及一功率控制晶片,接收一展频同步讯号,该功率控制晶片系依据该展频同步讯号之可变化的频率以一控制讯号控制该开关;以及一返驰式转换器,接收一第二电压,以产生一输出电压,并输出该展频同步讯号,该返驰式转换器包括:一功率模组晶片;及一变压器,包括:一第一一次侧线圈,一端接收该第二电压,另一端接收该功率模组晶片之一第二控制讯号;一二次侧线圈,对应该第一一次侧线圈之该第二电压产生一第三电压;一第二一次侧线圈,一端耦接至一低电位,对应该第一一次侧线圈之该第二电压,产生一第四电压;及一辅助线圈,一端耦接至该第二一次侧线圈与该低电位耦接之端,并依该第一一次侧线圈之该第二电压产生该展频同步讯号。如申请专利范围第7项所述之装置,其中该功率因数改善回路更包括:一电感,具第一端及一第二端,该第一端接收一第一电压,该开关耦接于该第二端与该低电位之间;一第一二极体,阳极与该电感之该第二端耦接;及一第一电容,一端与该第一二极体之阴极耦并产生该第二电压,另一端与该低电位耦接。如申请专利范围第8项所述之装置,其中该返驰式转换器更包括:一第二二极体,该第二二极体之阳极与该二次侧线圈之一端耦接,该二次侧线圈之另一端与该低电位耦接;及一第二电容,一端与该第二二极体之阴极耦接并产生该输出电压,另一端与该低电位耦接。一种交流直流转换装置,包括:一功率因数改善回路,包括:一开关;以及一功率控制晶片,接收一展频同步讯号,该功率控制晶片系依据该展频同步讯号之可变化的频率以一控制讯号控制该开关;以及一返驰式转换器,接收一第二电压,以产生一输出电压,并输出该展频同步讯号,该返驰式转换器包括:一功率模组晶片;一变压器,包括:一第一一次侧线圈,一端接收该第二电压,另一端接收该功率模组晶片之一第二控制讯号;一二次侧线圈,对应该第一一次侧线圈之该第二电压产生一第三电压;及一第二一次侧线圈,对应该第一一次侧线圈之该第二电压,产生该展频同步讯号。如申请专利范围第10项所述之装置,其中该功率因数改善回路更包括:一电感,具第一端及一第二端,该第一端接收一第一电压,该开关耦接于该第二端与一低电位之间;一第一二极体,阳极与该电感之该第二端耦接;及一第一电容,一端与该第一二极体之阴极耦并产生该第二电压,另一端与该低电位耦接。如申请专利范围第11项所述之装置,其中该返驰式转换器更包括:一第二二极体,该第二二极体之阳极与该二次侧线圈之一端耦接,该二次侧线圈之另一端与该低电位耦接;以及一第二电容,一端与该第二二极体之阴极耦接并产生该输出电压,另一端与该低电位耦接。一种电子装置,包括:一功率因数改善回路,包括:一开关;以及一功率控制晶片,接收一展频同步讯号,该功率控制晶片系依据该展频同步讯号之可变化的频率以一控制讯号控制该开关;一返驰式转换器,接收一第二电压,以产生一输出电压,并输出该展频同步讯号;以及一显示模组,依据该输出电压动作;其中,该返驰式转换器包括:一功率模组晶片;一变压器,包括:一第一一次侧线圈,一端接收该第二电压,另一端接收该功率模组晶片之一第二控制讯号;一二次侧线圈,对应该第一一次侧线圈之该第二电压产生一第三电压;及一第二一次侧线圈,对应该第一一次侧线圈之该第二电压,产生该展频同步讯号;以及一第二二极体,该第二二极体之阳极与该二次侧线圈之一端耦接,该二次侧线圈之另一端与一低电位耦接。如申请专利范围第13项所述之装置,其中该功率因数改善回路更包括:一电感,具第一端及一第二端,该第一端接收一第一电压,该开关耦接于该第二端与该低电位之间;一第一二极体,阳极与该电感之该第二端耦接;一第一电容,一端与该第一二极体之阴极耦并产生该第二电压,另一端与该低电位耦接。如申请专利范围第14项所述之装置,其中该返驰式转换器包括:一第二电容,一端与该第二二极体之阴极耦接并产生该输出电压,另一端与该低电位耦接。如申请专利范围第13项所述之装置,其中该电子装置系为一投影机。如申请专利范围第13项所述之装置,其中该电子装置系为一液晶显示器。一种电子装置,包括:一功率因数改善回路,包括:一开关;以及一功率控制晶片,接收一展频同步讯号,该功率控制晶片系依据该展频同步讯号之可变化的频率以一控制讯号控制该开关;一返驰式转换器,接收一第二电压,以产生一输出电压,并输出该展频同步讯号;以及一显示模组,依据该输出电压动作;其中,该返驰式转换器包括:一功率模组晶片;及一变压器,包括:一第一一次侧线圈,一端接收该第二电压,另一端接收功率模组晶片之一第二控制讯号;一二次侧线圈,对应该第一一次侧线圈之该第二电压产生一第三电压;一第二一次侧线圈,一端与一低电位耦接,对应该第一一次侧线圈之该第二电压,产生一第四电压;及一辅助线圈,与该第二一次侧线圈与该低电位耦接之一端耦接,并依该第一一次侧线圈之该第二电压产生该展频同步讯号。如申请专利范围第18项所述之装置,其中该功率因数改善回路更包括:一电感,具第一端及一第二端,该第一端接收一第一电压,该开关耦接于该第二端与该低电位之间;一第一二极体,阳极与该电感之该第二端耦接;一第一电容,一端与该第一二极体之阴极耦并产生该第二电压,另一端与该低电位耦接。如申请专利范围第19项所述之装置,其中该返驰式转换器包括:一第二二极体,该第二二极体之阳极与该二次侧线圈之一端耦接,该二次侧线圈之另一端与该低电位耦接;及一第二电容,一端与该第二二极体之阴极耦接并产生该输出电压,另一端与该低电位耦接。如申请专利范围第18项所述之装置,其中该电子装置系为一投影机。如申请专利范围第18项所述之装置,其中该电子装置系为一液晶显示器。
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