发明名称 控制模组及资料驱动器
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.08.11
申请号 TW095126034 申请日期 2006.07.17
申请人 奇美电子股份有限公司 发明人 薛富元;林韦丞;佐野景一
分类号 G09G3/18 主分类号 G09G3/18
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼;颜锦顺 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 一种控制模组,包括:一第一取样单元,取样一资料信号,以产生一第一取样信号;一第一闩锁单元,闩锁住该第一取样信号,以产生一第一闩锁信号,该第一闩锁信号之位准为一第一及第二位准;一第二取样单元,取样该第一闩锁信号,以产生一第二取样信号;一第一反相器,具有一第一输入端以及一第一输出端,该第一输入端接收该第二取样信号;一第二反相器,具有一第二输入端以及一第二输出端,该第二输入端耦接该第一输出端;一电容单元,耦接于该第一输入端与该第二输出端之间,该第一、第二反相器以及该电容单元用以闩锁并转换该第二取样信号;以及一缓冲器,耦接该第一及第二反相器,用以产生一第二闩锁信号,并放大该第二闩锁信号,该第二闩锁信号之位准为一第三及第四位准,该第三位准大于该第一位准,该第四位准小于该第二位准。如申请专利范围第1项所述之控制模组,其中该第一及第二取样单元均为P型电晶体。如申请专利范围第1项所述之控制模组,其中该第一反相器,包括:一第一P型电晶体,其闸极接收该第二取样信号,其源极接收该第三位准;以及一第一N型电晶体,其闸极耦接该第一P型电晶体之闸极以及该电容单元,其源极接收该第四位准,其汲极耦接该第一P型电晶体之汲极。如申请专利范围第3项所述之控制模组,其中该第二反相器,包括:一第二P型电晶体,其闸极耦接该第一N型电晶体之汲极,其源极接收该第三位准,其汲极耦接该电容单元;以及一第二N型电晶体,其闸极耦接该第一N型电晶体之汲极,其源极接收该第四位准,其汲极耦接该第二P型电晶体之汲极。如申请专利范围第4项所述之控制模组,其中该第一闩锁单元包括:一第三反相器,具有一第三输入端以及一第三输出端,该第三输入端接收该第一取样信号;一第四反相器,具有一第四输入端以及一第四输出端,该第四输入端耦接该第三输出端,该第四输出端耦接该第三输入端,该第三及第四反相器用以闩锁该第一取样信号;以及一第五反相器,耦接于该第三输出端与该第二取样单元之间,用以产生该第一闩锁信号至该第一取样单元。如申请专利范围第5项所述之控制模组,其中该第三反相器,包括:一第三P型电晶体,其闸极接收该第一取样信号,其源极接收该第一位准;以及一第三N型电晶体,其闸极耦接该第一P型电晶体之闸极,其源极接收该第二位准,其汲极耦接该第三P型电晶体之汲极。如申请专利范围第6项所述之控制模组,其中该第四反相器,包括:一第四P型电晶体,其闸极耦接该第三N型电晶体之汲极,其源极接收该第一位准;以及一第四N型电晶体,其闸极耦接该第三N型电晶体之汲极,其源极接收该第二位准,其汲极耦接该第四P型电晶体之汲极。一种资料驱动器,包括:一移位暂存器,根据一时脉信号,产生一脉冲信号;一控制模组,包括一第一取样单元,根据该脉冲信号取样一资料信号,以产生一第一取样信号;一第一闩锁单元,闩锁住该第一取样信号,以产生一第一闩锁信号,该第一闩锁信号之位准为一第一及第二位准;一第二取样单元,取样该第一闩锁信号,以产生一第二取样信号;一第一反相器,具有一第一输入端以及一第一输出端,该第一输入端接收该第二取样信号;一第二反相器,具有一第二输入端以及一第二输出端,该第二输入端耦接该第一输出端;一电容单元,耦接于该第一输入端与该第二输出端之间,该第一、第二反相器以及该电容单元用以闩锁并转换该第二取样信号;以及一缓冲器,耦接该第一及第二反相器,用以产生一第二闩锁信号,该第二闩锁信号之位准为一第三及第四位准,该第三位准大于该第一位准,该第四位准小于该第二位准,该缓冲器并放大该第二闩锁信号以产生一数位信号。一数位类比较换器,用以将该数位信转换成一类比信号;以及一类比缓冲器,用以放大该类比信号。如申请专利范围第8项所述之资料驱动器,其中该第一取样单元系为一P型电晶体,其闸极接收该脉冲信号,其源极接收该资料信号,其汲极输出该第一取样信号。如申请专利范围第8项所述之资料驱动器,其中该第二取样单元系为一P型电晶体。如申请专利范围第8项所述之资料驱动器,其中该第一反相器,包括:一第一P型电晶体,其闸极接收该第二取样信号,其源极接收该第三位准;以及一第一N型电晶体,其闸极耦接该第一P型电晶体之闸极以及该电容单元,其源极接收该第四位准,其汲极耦接该第一P型电晶体之汲极。如申请专利范围第11项所述之资料驱动器,其中该第二反相器,包括:一第二P型电晶体,其闸极耦接该第一N型电晶体之汲极,其源极接收该第三位准,其汲极耦接该电容单元;以及一第二N型电晶体,其闸极耦接该第一N型电晶体之汲极,其源极接收该第四位准,其汲极耦接该第二P型电晶体之汲极。如申请专利范围第12项所述之资料驱动器,其中该第一闩锁单元包括:一第三反相器,具有一第三输入端以及一第三输出端,该第三输入端接收该第一取样信号;一第四反相器,具有一第四输入端以及一第四输出端,该第四输入端耦接该第三输出端,该第四输出端耦接该第三输入端,该第三及第四反相器用以闩锁该第一取样信号;以及一第五反相器,耦接于该第三输出端与该第二取样单元之间,以产生并输出该第一闩锁信号至该第一取样单元。如申请专利范围第13项所述之资料驱动器,其中该第三反相器,包括:一第三P型电晶体,其闸极接收该第一取样信号,其源极接收该第一位准;以及一第三N型电晶体,其闸极耦接该第一P型电晶体之闸极,其源极接收该第二位准,其汲极耦接该第三P型电晶体之汲极。如申请专利范围第14项所述之资料驱动器,其中该第四反相器,包括:一第四P型电晶体,其闸极耦接该第三N型电晶体之汲极,其源极接收该第一位准;以及一第四N型电晶体,其闸极耦接该第三N型电晶体之汲极,其源极接收该第二位准,其汲极耦接该第四P型电晶体之汲极。
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