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一种侦测一半导体晶圆的不均匀性之方法，包含以下步骤：提供一包含一具有一晶圆表面的晶圆之半导体；提供一具有一探针梢端之非振动接触式电位差感测器；提供一与该晶圆表面呈导通之照明能量源；提供一可提供可变照明之机构；在包括一位在邻近于该非振动接触式电位差感测器探针梢端的取样区域之该晶圆表面的一区域处导引该照明能量；当该半导体的表面被照明之时，相对于该非振动接触式电位差感测器侧向地扫描该晶圆表面；随着该感测器探针梢端侧向地跨越该晶圆表面而扫描，产生呈现该感测器探针梢端与该晶圆表面之间的接触式电位差变化之感测器资料；处理该非振动接触式电位差感测器资料以侦测一呈现一不均匀性之图案，其中该不均匀性选自于由化学性不均匀性、物理性不均匀性、电性不均匀性、及其组合所组成之群组。如申请专利范围第1项之方法，其中该可变照明能量系包含一变动强度、变动光频谱、及对于该晶圆表面的变动输入角度的至少一者。如申请专利范围第1项之方法，其中该照明能量包含具有大于该半导体晶圆的一带隙的能量之光的波长。如申请专利范围第1项之方法，其中该照明能量包含具有小于该半导体的一带隙的能量之光的波长。如申请专利范围第1项之方法，其中该不均匀性包含半导体掺杂密度的一变异。如申请专利范围第1项之方法，其中该不均匀性包含在该半导体中的一污染物。如申请专利范围第6项之方法，其中该污染物包含在该半导体的晶圆表面上之一金属或有机污染物。如申请专利范围第1项之方法，其中该不均匀性包含在表面化学性质中的一变异。如申请专利范围第1项之方法，其中该照明能量源包含一雷射。如申请专利范围第1项之方法，其中该非振动接触式电位差感测器的探针梢端系为对于照明能量的波长呈透明。如申请专利范围第1项之方法，其中该非振动接触式电位差感测器的探针梢端系被定型以容许该探针梢端下方区域的照明。如申请专利范围第1项之方法，其中该半导体包含一对于照明能量的至少部分波长呈透明之覆盖膜。如申请专利范围第12项之方法，其中该不均匀性包含在该透明膜之上或之中的荷电。如申请专利范围第1项之方法，进一步包括以下步骤：扫描该晶圆表面至少两次，其中在扫描之间改变照明能量的频谱或强度；及处理来自该等多重扫描的非振动接触式电位差感测器资料以侦测一呈现一瑕疵之图案。如申请专利范围第14项之方法，其中该非振动接触式电位差感测器资料的处理系包括计算一扫描的结果与一第二扫描的结果之间的差异，其中该二扫描系以不同照明条件加以执行。一种用于侦测一半导体晶圆的不均匀性之系统，包含：一半导体安装表面，其适于接收一具有一晶圆表面之半导体晶圆；一非振动接触式电位差感测器，其具有一探针梢端且可定位为与该经安装半导体晶圆相邻，该感测器及该半导体晶圆可相对于彼此移动；一与该表面呈连通之照明能量源，该照明能量源提供可导引且可变的照明能量；当包括有一位于邻近该非振动接触式电位差感测器探针梢端的一取样区域之该晶圆表面的一区域由照明能量之照明源所照明同时，随着该感测器探针梢端侧向地跨越该半导体表面而扫描，该感测器系产生接触式电位差资料；及一处理器，其用以自该感测器接收该非振动接触式电位差感测器资料及处理该资料，以侦测一呈现一不均匀性的图案。如申请专利范围第16项之系统，其中该不均匀性选自于由化学性不均匀性、物理性不均匀性、电性不均匀性、及其组合所组成之群组。如申请专利范围第16项之系统，其中该照明能量具有变动强度、变动频谱、及对于该晶圆表面的变动输入角度。如申请专利范围第16项之系统，其中该照明能量包含具有大于该半导体的一带隙的能量之光的波长如申请专利范围第16项之系统，其中该照明能量包含具有小于该半导体的一带隙的能量之光的波长。如申请专利范围第16项之系统，其中该不均匀性包含半导体掺杂密度的一变异。如申请专利范围第16项之系统，其中该不均匀性包含在该半导体中的一污染物。如申请专利范围第22项之系统，其中该污染物包含在该半导体的晶圆表面上之一金属或有机污染物。如申请专利范围第16项之系统，其中该不均匀性包含在表面化学性质中的一变异。如申请专利范围第16项之系统，其中该照明能量源包含一雷射。如申请专利范围第16项之系统，其中该非振动接触式电位差感测器的探针梢端系为对于该照明能量的波长呈透明。如申请专利范围第16项之系统，其中该非振动接触式电位差感测器的探针梢端包含可容许该探针梢端下方区域之照明的一形状。如申请专利范围第16项之系统，其中该半导体包含一对于照明能量的至少部分波长呈透明之覆盖膜。如申请专利范围第28项之系统，其中该不均匀性包含在该透明膜之上或之中的荷电。 |
