| 发明名称 | 在形成半导体构造期间利用微波辐射的方法 | ||
| 摘要 | 一些实施例包含其中在形成半导体构造期间使用微波辐射来激活掺杂剂及/或增加半导体材料的结晶度的方法。在一些实施例中，所述微波辐射具有约5.8吉赫的频率，且在暴露于所述微波辐射期间所述半导体构造的温度不超过约500℃。 | ||
| 申请公布号 | CN102150238A | 申请公布日期 | 2011.08.10 |
| 申请号 | CN200980135344.0 | 申请日期 | 2009.08.20 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 约翰·斯迈思;巴斯卡尔·斯里尼瓦桑;张明 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种形成半导体构造的方法，其包括：在半导体材料内提供掺杂剂；及用具有约5.8吉赫的频率的微波辐射激活所述掺杂剂，在所述掺杂剂的所述激活期间所述半导体材料的温度不超过约500℃。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||