| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种制作半导体器件的方法，包括下列步骤，提供一前端器件层；在所述前端器件层表面形成第一钝化层，所述钝化层上形成露出前端器件层的沟槽；在所述沟槽内以及第一钝化层表面形成金属层；在所述金属层的表面形成缓冲层。本发明还提出了一种半导体器件的结构，包括前端器件层；在所述前端器件层表面形成的第一钝化层，所述钝化层中具有露出所述前端器件层的沟槽；在所述沟槽内以及第一钝化层表面形成的金属层；在所述金属层的表面形成的缓冲层。 | ||
| 申请公布号 | CN102148188A | 申请公布日期 | 2011.08.10 |
| 申请号 | CN201010110494.0 | 申请日期 | 2010.02.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 潘晶;徐强;卑多慧 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种制作半导体器件的方法，包括下列步骤，提供一前端器件层；在所述前端器件层表面形成第一钝化层，所述钝化层上形成露出前端器件层的沟槽；在所述沟槽内以及第一钝化层表面形成金属层；在所述金属层的表面形成缓冲层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||