| 发明名称 | VDMOS器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供VDMOS器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有外延层；在所述外延层表面形成具有开口的牺牲层，所述开口暴露出外延层表面；热氧化开口内的外延层，形成第一栅极氧化层；去除所述牺牲层；热氧化所述外延层，形成第二氧化层；沉积多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述第一栅极氧化层和第二氧化层；刻蚀多晶硅层和第二氧化层形成栅极结构；形成源区、源极金属层、漏极金属层和栅极金属层。本发明降低形成栅极氧化层的工艺难度，增加漏极和栅极间的栅极氧化层厚度，以降低栅极和漏极间的电容值，提高VDMOS的开关速度。 | ||
| 申请公布号 | CN102148164A | 申请公布日期 | 2011.08.10 |
| 申请号 | CN201110058213.6 | 申请日期 | 2011.03.10 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 楼颖颖;克里丝 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种VDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有外延层；在所述外延层表面形成具有开口的牺牲层，所述开口暴露出外延层表面；热氧化开口内的外延层，形成第一栅极氧化层；去除所述牺牲层；热氧化所述外延层，形成第二氧化层；沉积多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述第一栅极氧化层和第二氧化层；刻蚀多晶硅层和第二氧化层形成栅极结构；形成源区、源极金属层、漏极金属层和栅极金属层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||