半导体装置

摘要

本发明提供半导体装置，其包括减小了占有面积的增加、具有充分的ESD保护功能的ESD保护用N型MOS晶体管，ESD保护用N型MOS晶体管具有这样的漏区：该漏区经由漏极延伸设置区与漏极接触区电连接，该漏极延伸设置区由与漏区同一导电型的杂质扩散区形成，并且沿着沟槽分离区的侧面和下表面设置，该漏极接触区由与漏区同一导电型的杂质扩散区形成。

主权项

一种半导体装置，其具有ESD保护用N型MOS晶体管，并具有沟槽分离区，所述ESD保护用N型MOS晶体管的漏区经由漏极延伸设置区与漏极接触区电连接，所述漏极延伸设置区沿着所述沟槽分离区的侧面和下表面设置，且由与所述漏区同一导电型的杂质扩散区形成，所述漏极接触区由与所述漏区同一导电型的杂质扩散区形成。