半导体器件及其制造工艺

摘要

一种半导体器件包括第一反相器、第二反相器和连接反相器的内引线，其中内引线形成电容器元件，且电容器元件包括半导体衬底上的具有孔的层间绝缘膜、覆盖孔底壁和侧壁和下电极、布置在下电极和部分层间绝缘膜上的电容绝缘膜和电容绝缘膜上的上电极，其中底壁是半导体衬底且侧壁是层间绝缘膜的一部分，电容绝缘膜覆盖电容绝缘膜的拐角，拐角位于半导体衬底的相对侧，且上电极覆盖孔。

主权项

一种半导体器件，包括：第一反相器、第二反相器和连接所述各反相器的内布线，其中内布线形成电容器元件，且该电容器元件包括：半导体衬底上的具有孔的层间绝缘膜；覆盖孔的底壁和侧壁的下电极，所述底壁是半导体衬底且侧壁是层间绝缘膜的一部分；布置在下电极和部分层间绝缘膜上的电容绝缘膜，所述电容绝缘膜覆盖孔的上拐角(106a)；以及电容绝缘膜上的上电极，所述上电极至少覆盖位于所述上拐角(106a)处的电容绝缘膜。