| 发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明一实施例提供一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括：一半导体基底；一栅极堆叠，位于该半导体基底之上，该栅极堆叠包括一栅极介电层及一栅极电极；一间隙壁，形成于该栅极堆叠的侧壁上，其中该间隙壁的一顶表面高于该栅极堆叠的一顶表面；以及一保护层，位于该栅极堆叠之上，且至少部分填充由位于该栅极堆叠的该顶表面上的该间隙壁所围绕的一空间。本发明增加所生产的半导体元件的整体合格率，且半导体元件具有更高的可靠度。 | ||
| 申请公布号 | CN102148236A | 申请公布日期 | 2011.08.10 |
| 申请号 | CN201010221419.1 | 申请日期 | 2010.06.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 孙诗平;李宗霖;林经祥;张志豪;叶震南;钟朝安 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种半导体元件，包括：一半导体基底；一栅极堆叠，位于该半导体基底之上，该栅极堆叠包括一栅极介电层及一栅极电极；一间隙壁，形成于该栅极堆叠的侧壁上，其中该间隙壁的一顶表面高于该栅极堆叠的一顶表面；以及一保护层，位于该栅极堆叠之上，且至少部分填充由位于该栅极堆叠的该顶表面上的该间隙壁所围绕的一空间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||