制作带有自对准场板的增强型HEMT的方法

摘要

本公开的各种实施方式包括增强型(e-型)栅极注入高电子迁移率晶体管(HEMT)的形成。实施方式可包括GaN、AlGaN和InAlN基HEMT。实施方式还可包括自对准的P型栅极和场板结构。栅极可与源极和漏极自对准，这可允许对栅极-源极和栅极-漏极间距的精确控制。另外的实施方式包括添加GaN盖结构、AlGaN缓冲层、AlN、凹槽蚀刻和/或使用薄氧化AlN层。在根据本教导制造HEMT时，选择性的外延生长(SEG)和外延横向过生长(ELO)都可被使用以形成栅极。

主权项

一种制造增强型(e‑型)高电子迁移率晶体管(HEMT)的方法，包括：使第一化合物半导体层在衬底的表面上形成；使第二化合物半导体层在所述第一化合物半导体层的与所述衬底表面相对的表面上形成；使第一电介质在所述第二化合物半导体层的与所述第一化合物半导体的所述表面相对的表面上形成；通过所述第一电介质使用一个掩模层来界定源极接触区、漏极接触区和栅极接触区，以暴露所述第二化合物半导体层的部分；使第二电介质共形地在所述第一电介质和所述第二化合物半导体层的被暴露部分上形成；蚀刻所述第二电介质以暴露所述栅极区；各向同性地蚀刻在所述栅极接触区中被暴露的所述第一电介质以形成蚀刻区域；使外延p型第二化合物半导体在所暴露的栅极接触区上生长，以实质上填充所蚀刻的栅极接触区并覆盖所述第一电介质的所述蚀刻区域的至少一部分。