对控制信息编程的方法和装置

摘要

本发明公开了一种对控制信息比如标志、控制标志、标记、控制标记进行编程的方法和装置。该方法和装置可以在存储器阵列的第一区域中执行指定的单元类型的低速编程，确认在存储器阵列的第一区域中指定单元类型的低速编程的结果和在确认了低速编程的结果之后在存储器阵列的第二区域中执行指定单元类型的闪速编程，其中闪速编程的初始编程电压不同于低速编程的初始编程电压。第一和第二编程可以不相同，例如第一编程可以是低速操作，比如写数据，第二编程可以是闪速操作，比如写控制信息。第一和第二编程方法也可以不相同，例如第一编程方法可以是不允许重复编程的编程方法，而第二编程方法可以是允许重复编程的编程方法。

主权项

一种对半导体存储器装置编程的方法，包括：在存储器阵列的第一区域中执行指定的单元类型的低速编程；确认在存储器阵列的第一区域中指定单元类型的低速编程的结果；和当低速编程的结果正确时，在存储器阵列的第二区域中执行指定单元类型的闪速编程；其中闪速编程的初始编程电压不同于低速编程的初始编程电压，其中低速编程执行数据写操作，闪速编程执行控制信息写操作，控制信息包括确认标记，其中低速编程包括按照初始编程电压VL和N个编程阶跃的递增阶跃脉冲编程(ISPP)，这里N是整数，以及闪速编程包括按照初始编程电压VH和M个编程阶跃的减小的ISPP，这里M是小于N的整数，其中低速编程具有比闪速编程更长的周期时间，其中闪速编程的初始编程电压VH取决于低速编程操作的最后编程电压。