SOI-Halbleiterbauelement mit reduzierter Topographie über einem Substratfensterbereich

摘要

In komplexen SOI-Bauelementen werden Schaltungselemente, etwa Substratdioden, in dem kristallinen Substratmaterial auf der Grundlage eines Substratfensters hergestellt, wobei die ausgeprägte Oberflächentopographie kompensiert oder zumindest reduziert wird, indem zusätzliche Einebnungsprozesse ausgeführt, etwa das Abscheiden eines Einebnungsmaterials und ein nachfolgender Ätzprozess, wenn die Kontaktebene des Halbleiterbauelements hergestellt wird.