| 发明名称 |
Field effect transistor using horizontally grown carbon nanotubes |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
GB2382718(B) |
申请公布日期 |
2004.03.24 |
| 申请号 |
GB20020018564 |
申请日期 |
2001.07.18 |
| 申请人 |
* LG ELECTRONICS INC. |
发明人 |
JIN KOOG * SHIN;KYU TAE * KIM;MIN JAE * JUNG;SANG SOO * YOON;YOUNG SOO * HAN;JAE EUN * LEE |
| 分类号 |
B82B3/00;H01L27/22;H01L27/28;H01L29/15;H01L29/16;H01L29/78;H01L51/30;H01L51/40;(IPC1-7):H01L51/20 |
主分类号 |
B82B3/00 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
