电容制造方法

摘要

一种电容制造方法，其包括如下步骤：提供一基板，依次沉积一第一金属层、一绝缘层和一第一光阻层；提供一第一光罩，其包括至少二透光率不同的透光区，利用该第一光罩对该第一光阻层曝光，并显影该第一光阻层，形成厚度不同的第一光阻图案；蚀刻该第一光阻图案和部分绝缘层，形成厚度不同的绝缘层；依次沉积一第二金属层和一第二光阻层于该剩余绝缘层上；利用一第二光罩对该第二光阻层进行曝光，并显影该第二光阻层，形成第二光阻图案；蚀刻未被该第二光阻图案覆盖的部分第二金属层，形成一金属图案；去除该第二光阻图案。

主权项

一种电容制造方法，其包括如下步骤：a.提供一基板，依次沉积一第一金属层、一绝缘层和一第一光阻层；b.提供一第一光罩，其包括两个透光率不同的透光区，该透光区的透光率大于或等于0且小于1，利用该第一光罩对该第一光阻层曝光，并显影该第一光阻层，形成厚度不同的第一光阻图案；c.蚀刻该第一光阻图案和部分绝缘层，形成厚度不同的绝缘层；d.依次沉积一第二金属层和一第二光阻层于剩余绝缘层上；e.利用一第二光罩对该第二光阻层进行曝光，并显影该第二光阻层，形成第二光阻图案；f.蚀刻未被该第二光阻图案覆盖的部分第二金属层，形成一金属图案；和g.去除该第二光阻图案，其中，该两个透光率不同的透光区对应处分别形成两个电容，该两个电容均包括该第一金属层、该金属图案及夹在该第一金属层和该金属图案之间的该绝缘层，且该两个电容的该绝缘层厚度不同。