一种非对称结构的功率MOS晶体管及其阵列

摘要

本发明提供了一种功率MOS晶体管，属于半导体器件领域。该功率MOS晶体管包括源极、漏极和栅结构，栅结构的具体设计为：以版图几何中心为圆心作圆，分别制作两个十六边八角图形；这两个十六边八角图形的边相互平行，边与边之间间隙构成一八角形的弯折带，该弯折带为栅结构的图形。本发明在保证漏极接触孔到栅结构的距离不变的前提下，缩小了源级到栅结构的距离，得到较小的版图实现面积和较小的源端连接金属压降。

主权项

1.一种功率MOS晶体管，包括一位于衬底之上的漏极区域，位于衬底之上的栅结构包围着漏极区域，以及位于衬底之上的源极分布在栅结构的四周，其特征在于，栅结构的形状具体设计为：以为半径，以版图几何中心为圆心作圆，其中，漏极的接触孔到栅结构的距离为a；源极的接触孔到栅结构的距离为b；栅结构的宽度为w，漏极接触孔的边长尺寸和间距分别为c和d，然后在圆上平均分配得8个点，顺时针排列分别为A、B、C、D、E、F、G和H，分别连接A、C、E、G和B、D、F、H形成第一个十六边八角图形；然后，再以版图的几何中心为圆心，以为半径作圆，与第1个圆相对应，在第2个圆上也平均分配得A’、B’、C’、D’、E’、F’、G’和H’8点，分别连接A’、C’、E’、G’和B’、D’、F’、H’形成第二个十六边八角图形；同一中心的上述两个十六边八角图形的边相互平行，这两个十六边八角图形的边与边之间间隙构成一八角形的弯折带，该弯折带即为栅结构的图形。