| 发明名称 | 纳米结构的光电二极管 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种光电二极管，其包括：至少部分由第一和第二区域（2）形成的p-i-n或pn结，所述第一和第二区域（2）由具有相反导电类型的半导体材料制成，其中p-i-n或pn结包括光吸收区域(11)，用于从所吸收的光产生电荷载子。p-i-n或者pn结的一段包括一个或多个纳米线(7)，其被间隔开并且被布置为收集在光吸收区域(11)中产生的电荷载子。在纳米线(7)与所述第一区域(1)和所述第二区域(2)中的一个之间提供的由低掺杂或本征半导体材料制成的至少一个低掺杂区域（10），实现了有源区域（9）的定制的光吸收区域和/或雪崩倍增区域。 | ||
| 申请公布号 | CN102144298A | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
| 申请号 | CN200980134580.0 | 申请日期 | 2009.09.04 |
| 申请人 | 昆南诺股份有限公司 | 发明人 | L·萨穆尔森;F·卡帕索;J·奥尔森 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/12(2006.01)I;H01L31/103(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘春元;蒋骏 |
| 主权项 | 一种光电二极管，包括至少部分由第一区域（1）和第二区域（2）所形成的p‑i‑n或pn结，所述第一区域（1）由具有第一导电类型的半导体材料制成，并且所述第二区域（2）由具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的半导体材料制成，其中，所述p‑i‑n或pn结包括用于从所吸收的光产生电荷载子的光吸收区域(11)，其特征在于，所述p‑i‑n或者pn结的一段包括纳米线(7)的阵列，其被间隔开并被布置为传送来自所述光吸收区域(11)的所述电荷载子。 | ||
| 地址 | 瑞典隆德 | ||