| 发明名称 | 修整光致抗蚀剂图案的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种于修整光致抗蚀剂图案的方法，以氮气做为蚀刻气体，并且以适当的蚀刻速率修整光致抗蚀剂图案，其方法如下：首先提供一待蚀刻材料层覆有一图案化光致抗蚀剂层，然后进行一削除光致抗蚀剂制作工艺，以氮气修整图案化光致抗蚀剂层的边缘，最后，以修整后的图案化光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻待蚀刻材料层。 | ||
| 申请公布号 | CN102141742A | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
| 申请号 | CN201010105786.5 | 申请日期 | 2010.01.28 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 林盈志;周珮玉;廖俊雄;冯郅文;张峰溢;蔡尚元 |
| 分类号 | G03F7/36(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种修整光致抗蚀剂图案的方法，包含：提供一待蚀刻材料层覆有一图案化光致抗蚀剂层；进行一削除光致抗蚀剂制作工艺，以氮气修整该图案化光致抗蚀剂层的边缘；以及以该修整后的图案化光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻该待蚀刻材料层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||