主权项 |
一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储单元电路,其特征在于:设有包括两个PMOS管P1及P2,五个NMOS管N1、N2、N3、N4及N5,共七个晶体管构成双端写、单端读的高密度、高鲁棒性亚阈值存储单元电路;其中,两个PMOS管及NMOS管N3、N4、N5的各体端均与本晶体管的栅端连接,NMOS管N1、N2的体端及源端接地,两个PMOS管的源端连接到电源电压,NMOS管N1的漏端与PMOS管P1的漏端连接在一起,NMOS管N1的栅端与PMOS管P1的栅端连接在一起,组成一个反相器;NMOS管N2的漏端与PMOS管P2的漏端连接在一起,NMOS管N2的栅端与PMOS管P2的栅端连接在一起,组成另一个反相器;NMOS管N1漏端及PMOS管P1漏端与NMOS管N2栅端及PMOS管P2栅端连接在一起,NMOS管N1栅端和PMOS管P1栅端之间的连接端与NMOS管N2漏端和PMOS管P2漏端之间的连接端分别连接在NMOS管N5源、漏两端之任一端,NMOS管N5的栅端与外部控制信号读字线的取反信号连接,NMOS管N1漏端和PMOS管P1漏端之间的连接端与写位线分别连接在NMOS管N3源、漏两端之任一端,NMOS管N3的栅端连写字线,NMOS管N2漏端和PMOS管P2漏端之间的连接端与写位线的非和读位线的共享位线分别连接在NMOS管N4源、漏两端之任一端,NMOS管N4栅端连接到写字线和读字线共享的字线上。 |