| 发明名称 | 一种形成改善的浅绝缘沟槽结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种形成改善的浅绝缘沟槽结构的方法，包括以下步骤：步骤1，将具有浅沟槽绝缘结构的半导体器件送入炉管，该半导体器件表面具有硅材料，向炉管内通入氧化用气体进行氧化，在半导体器件表面生成氧化膜；步骤2，在炉管中通入含氮气体以清洗炉管中的半导体器件，其中通入含氮气体的流量为0.6-1.0升/分钟之间，通入含氮气体的时间为45秒-100秒，而后将半导体器件移出炉管。本发明通过在制造氧化层的过程中增加含氮气体通入的时间和流量，改善上述浅绝缘沟槽结构，从而使氧化层更加平整，使浅绝缘沟槽结构角落的盘状物缺陷减小，达到改善待命电流的作用。 | ||
| 申请公布号 | CN101764079B | 申请公布日期 | 2011.08.03 |
| 申请号 | CN200810188161.2 | 申请日期 | 2008.12.24 |
| 申请人 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 发明人 | 商志峰;初曦;高永亮 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人 | 张春媛 |
| 主权项 | 一种形成改善的浅绝缘沟槽结构的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1，将具有未被填充的浅沟槽绝缘结构的半导体器件送入炉管，该半导体器件表面具有硅材料，向炉管内通入氧化用气体进行氧化，在半导体器件表面生成氧化膜；步骤2，在炉管中通入含氮气体以清洗炉管中的半导体器件，其中通入含氮气体的流量为0.6‑1.0升/分钟之间，通入含氮气体的时间为45秒‑100秒，而后将半导体器件移出炉管。 | ||
| 地址 | 215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 | ||