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Halbleitervorrichtung mit einem ersten Halbleiterbereich (110) eines ersten Leitungstyps, einem zweiten Halbleiterbereich (111) eines zweiten Leitungstyps und einem dritten Halbleiterbereich (117) des ersten Leitungstyps, die eine höhere Dotierungskonzentration aufweisen als der erste Halbleiterbereich (110) und so ausgebildet sind, dass der erste Halbleiterbereich (110) zwischen ihnen liegt, einer ersten Isolierschicht (LA), die auf dem ersten Halbleiterbereich (110) ausgebildet ist, einer Mehrzahl von ersten schwebenden Feldplatten (FA), die auf der ersten Isolierschicht (LA) ausgebildet sind und oberhalb des ersten Halbleiterbereichs (110) in einer ersten Richtung angeordnet sind, die eine Richtung von dem dritten Halbleiterbereich (117) aus zu dem zweiten Halbleiterbereich (111) hin ist, einer zweiten Isolierschicht (LB), die auf den ersten schwebenden Feldplatten (FA) ausgebildet ist, einer Mehrzahl von zweiten schwebenden Feldplatten (FB), die auf der zweiten Isolierschicht (LB) ausgebildet sind und oberhalb des ersten Halbleiterbereichs (110) in der ersten Richtung angeordnet sind, einer dritten... |
