发明名称 Photovoltaik-Dünnschichtaufbau und Herstellungsverfahren
摘要 Photovoltaik-Dünnschichtaufbau mit–einer photoelektrisch aktiven Absorberschicht (3),–einer transparenten Frontkontaktschicht (5) und–einer mehrlagigen Pufferschicht (4) zwischen der Absorberschicht (3) und der Frontkontaktschicht (5), dadurch gekennzeichnet, dass–die Pufferschicht (4) eine Zn-S-Schichtlage (4a) auf der Absorberschicht (3), eine bordotierte Zn-O-Schichtlage (4b) auf der Zn-S-Schichtlage (4a) und eine undotierte Zn-O-Schichtlage (4c) auf der bordotierten Zn-O-Schichtlage (4b) umfasst oder–die Pufferschicht (4) eine Zn-S-Schichtlage (4a) auf der Absorberschicht (3), eine Zn-Mg-O-Schichtlage (4b) auf der Zn-S-Schichtlage (4a) und eine undotierte Zn-O-Schichtlage (4c) auf der Zn-Mg-O-Schichtlage (4b) umfasst.
申请公布号 DE102006039331(B4) 申请公布日期 2011.07.28
申请号 DE20061039331 申请日期 2006.08.15
申请人 ZENTRUM FUER SONNENENERGIE- UND WASSERSTOFF-FORSCHUNG BADEN-WUERTTEMBERG 发明人 HARISKOS, DIMITRIOS, DR.;MENNER, RICHARD, DIPL.-PHYS.
分类号 H01L31/0296;H01L31/18 主分类号 H01L31/0296
代理机构 代理人
主权项
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