发明名称 |
Photovoltaik-Dünnschichtaufbau und Herstellungsverfahren |
摘要 |
Photovoltaik-Dünnschichtaufbau mit–einer photoelektrisch aktiven Absorberschicht (3),–einer transparenten Frontkontaktschicht (5) und–einer mehrlagigen Pufferschicht (4) zwischen der Absorberschicht (3) und der Frontkontaktschicht (5), dadurch gekennzeichnet, dass–die Pufferschicht (4) eine Zn-S-Schichtlage (4a) auf der Absorberschicht (3), eine bordotierte Zn-O-Schichtlage (4b) auf der Zn-S-Schichtlage (4a) und eine undotierte Zn-O-Schichtlage (4c) auf der bordotierten Zn-O-Schichtlage (4b) umfasst oder–die Pufferschicht (4) eine Zn-S-Schichtlage (4a) auf der Absorberschicht (3), eine Zn-Mg-O-Schichtlage (4b) auf der Zn-S-Schichtlage (4a) und eine undotierte Zn-O-Schichtlage (4c) auf der Zn-Mg-O-Schichtlage (4b) umfasst.
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申请公布号 |
DE102006039331(B4) |
申请公布日期 |
2011.07.28 |
申请号 |
DE20061039331 |
申请日期 |
2006.08.15 |
申请人 |
ZENTRUM FUER SONNENENERGIE- UND WASSERSTOFF-FORSCHUNG BADEN-WUERTTEMBERG |
发明人 |
HARISKOS, DIMITRIOS, DR.;MENNER, RICHARD, DIPL.-PHYS. |
分类号 |
H01L31/0296;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L31/0296 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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