发明名称 一种氟基水溶液生长二氧化钛薄膜的方法
摘要 本发明涉及一种在各种基体上制备高致密度、高催化活性的锐钛矿二氧化钛薄膜的方法,主要包括以下步骤:首先在基体上沉积无定形二氧化钛种子层;然后将种子层置于含钛盐稳定剂的摩尔浓度为0.01-0.2mol·L-1的钛盐生长溶液中生长;再将生长后的薄膜进行清洗和干燥处理,即得。本发明的方法提高了薄膜的致密度,使薄膜在可见光区具有高达80%以上的透光率;实现了薄膜单一c轴方向外延生长,且结晶度大大提高。另外,由于该方法采用低温工艺和廉价的原料,且在生长过程中原材料消耗少,工艺简单,大大降低了生产成本,制备的薄膜在太阳能电池、防雾和自清洁涂层、干涉涂层、光栅、微电子和电致发光器件等领域具有潜在的应用前景。
申请公布号 CN101439873B 申请公布日期 2011.07.27
申请号 CN200810238417.6 申请日期 2008.12.16
申请人 济南大学 发明人 武卫兵;胡广达
分类号 C01G23/053(2006.01)I;C03C17/25(2006.01)I;C04B41/00(2006.01)I 主分类号 C01G23/053(2006.01)I
代理机构 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人 李桂存
主权项 一种氟基水溶液生长二氧化钛薄膜的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)在基体上沉积无定形二氧化钛种子层;(2)将种子层置于生长溶液中生长;(3)将生长后的薄膜进行清洗和干燥处理;所述生长溶液是在摩尔浓度为0.01‑0.2mol·L‑1的钛盐水溶液中加入钛盐稳定剂配制而成,钛盐稳定剂与钛盐的摩尔比为0‑1∶2,钛盐稳定剂不包括0,钛盐为四氟化钛、六氟钛酸铵或其混合物,钛盐稳定剂为氢氟酸、氟化铵、氟化钠和氟化钾中的一种或多种;所述种子层生长成薄膜的生长温度为70‑100℃,生长时间为6‑72小时。
地址 250022 山东省济南市市中区济微路106号济南大学材料学院