| 主权项 |
一种光电检测器，包括：半导体衬底；光电转换部分，其形成在所述半导体衬底中，以产生与接收的光量相对应的电荷；电荷分离部分，其具有形成在所述半导体衬底的总体表面上的分离电极；电荷积聚部分，其具有形成在所述半导体衬底的总体表面上的积聚电极；势垒电极，其形成在所述分离电极和所述积聚电极之间所述半导体衬底的总体表面上；势垒高度调节部分，其电气连接到所述势垒电极；以及电荷去除部分；其中，所述电荷分离部分用来通过使用势垒从由所述光电转换部分产生的电荷中分离不期望的电荷，通过对所述势垒电极施加电压，所述势垒形成在所述势垒电极之下的所述半导体衬底中；所述势垒高度调节部分根据从所述光电转换部分提供的电荷量来确定施加到所述势垒电极的电压，以调节所述势垒的高度；所述电荷积聚部分用来积聚有效电荷，所述有效电荷是从所述电荷分离部分越过所述势垒流入所述电荷积聚部分的电荷；所述电荷去除部分用来排除由所述电荷分离部分分离的所述不期望的电荷，以及积聚在所述电荷积聚部分中的有效电荷被提供为所述光电检测器的输出，其中，所述势垒高度调节部分根据从所述光电转换部分经由所述电荷分离部分提供的电荷量来确定施加到所述势垒电极的电压，并且其中，所述势垒电极经由绝缘层形成在所述半导体衬底上，所述光电转换部分、所述电荷分离部分、所述势垒电极和所述电荷积聚部分被对齐成一行，并且所述势垒高度调节部分和所述电荷去除部分位于所述行的一侧，使得所述势垒高度调节部分的位置邻近所述电荷分离部分，而所述电荷去除部分的位置邻近所述光电转换部分。 |
