发明名称 |
绝缘膜材料、使用该绝缘膜材料的成膜方法和绝缘膜 |
摘要 |
本发明提供了以下述化学式(1)表示的等离子体CVD用绝缘膜材料,使用了该绝缘膜材料的成膜方法和绝缘膜。在式(1)中,m和n是3~6的整数,m和n在一个分子中可以相同,也可以相互不同。<img file="dpa00001324958900011.GIF" wi="1709" he="226" /> |
申请公布号 |
CN102138205A |
申请公布日期 |
2011.07.27 |
申请号 |
CN200980134004.6 |
申请日期 |
2009.09.01 |
申请人 |
独立行政法人物质·材料研究机构;大阳日酸株式会社 |
发明人 |
大野隆央;田岛畅夫;稻石美明;神力学;宫泽和浩 |
分类号 |
H01L21/312(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/312(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 11018 |
代理人 |
陈万青;王珍仙 |
主权项 |
1.一种等离子体CVD用绝缘膜材料,以下述化学式(1)表示,<img file="FPA00001324959100011.GIF" wi="1710" he="226" />在式(1)中,m和n是3~6的整数,m和n在一个分子中可以相同,也可以相互不同。 |
地址 |
日本茨城 |