等离子体发生装置和使用等离子体发生装置的膜沉积方法

摘要

本发明是为了低成本容易地产生较长的等离子体，以及为了使用单个的等离子体发生装置执行多种膜沉积方法。本发明提供一种等离子体发生装置，在其真空内部中配置有筒形电极，所述筒形电极在其一部分中包括开口，并且当将气体引入其中并且向其施直流负电压时在其中产生等离子体。

主权项

一种等离子体发生装置，在其真空内部中配置有多个筒形电极，所述等离子体发生装置将气体引入到所述筒形电极中，并且向筒形电极施加直流负电压作为等离子体发生电压，包括：气体引入装置，能够选择与膜沉积类型相对应的气体，并且将选择的气体引入到所述筒形电极中；以及压力控制装置，能够依赖于膜沉积的类型而控制筒形电极的内部压力，其中：多个所述筒形电极被以内部相互连通的状态并相邻地排列设置；通过所述气体引入装置选择气体，并且通过所述压力控制装置控制所述筒形电极的内部压力，使得：所述等离子体发生装置可以用作物理气相沉积装置，用于通过引入非反应气体和至多100Pa的低压力的控制来溅射组成所述筒形电极的材料，在膜沉积目标的表面上形成膜；所述等离子体发生装置可以用作反应物理气相沉积装置，用于通过引入反应气体和至多100Pa的低压力的控制来溅射组成所述筒形电极的材料，在膜沉积目标的表面上形成膜；以及所述等离子体发生装置可以用作等离子体化学气相沉积装置，用于通过引入用于碳膜沉积的气体的和至少500Pa的高压力的控制，在膜沉积目标的表面上形成碳膜。