| 发明名称 | 含有连接表面层和衬底区域的部分SOI结构制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于生产包含表面层(20’)，至少一个埋入层(36，46)，以及支撑(30)的半导体结构的方法，该方法包括：采用第一材料在第一支撑上形成图形(23)的步骤；在所述图形之间和之上形成半导体层的步骤；组装所述半导体层与第二支撑(30)的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101401199B | 申请公布日期 | 2011.07.27 |
| 申请号 | CN200780006928.9 | 申请日期 | 2007.02.26 |
| 申请人 | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 | 发明人 | B·阿斯帕尔;C·拉加赫-布朗夏尔 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种用于生产包括表面层(20’、30’)，至少一个埋入层(23、26、36)，以及第一衬底的半导体结构的方法，该方法特征在于：‑采用第一材料在半导体材料的第一衬底(20)上形成图形(23)的步骤，所述第一材料进一步包括达到第一衬底(20)表面(21)的区域；‑采用第二半导体材料在所述图形之间和之上形成层(26)的步骤；‑对由第二材料构成的层(26)进行热处理以全部或部分地改变其结晶度的步骤，所述层(26)在所述图形(23)之间和第一衬底(20)接触；‑通过分子间粘附结合由第二材料构成的层(26)与第二衬底(30)的步骤；‑减薄第二衬底(30)以得到表面层。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||