发明名称 一种卫星接收四选一芯片结构
摘要 本实用新型涉及一种卫星接收四选一芯片结构,其包括集成设置的开关管模块、选择模块、放大模块和供电模块,从卫星接收机发出的DiSEqC信号经放大模块放大处理后,再由MCU或专用信号处理集成电路解码形成控制信号,而后被输入开关管模块选通相应的开关管,并将电流从VDD输送至数个LNB端口中的一个选定端口,同时选择模块将需要的卫星信号从被选通高频头输出供卫星接收机处理,供电模块提供一低于VDD的电压作为MCU或专用信号处理集成电路的地信号,VDD是MCU或专用信号处理集成电路的电源。本实用新型通过上述集成化设计方案,使芯片结构更为简洁,易于维修、且组件总数大大减少,成本大幅降低,适合大批量生产的需求。
申请公布号 CN201910780U 申请公布日期 2011.07.27
申请号 CN201020678365.7 申请日期 2010.12.24
申请人 苏州华芯微电子股份有限公司 发明人 石万文;贾力;陈志明;雷红军;江石根
分类号 H03K17/51(2006.01)I;H04B7/185(2006.01)I 主分类号 H03K17/51(2006.01)I
代理机构 北京华夏博通专利事务所 11264 代理人 孙东风
主权项 一种卫星接收四选一芯片结构,其特征在于,所述芯片结构包括集成设置的开关管模块、选择模块、放大模块和供电模块;所述放大模块由第一电容,第一、二、三电阻以及第一三极管组成;第一电容一端接从卫星接收机发出的信号,另一端接第一电阻,第一电阻另一端接第一三极管基极和第二电阻一端,第一三极管的集电极接第二电阻另一端、第三电阻一端和输出端,第三电阻另一端接VDD;所述供电模块由稳压二极管,第四、五电阻和第一、第二二极管组成,其提供一个低于VDD的电压作为上述MCU或专用信号处理集成电路的地;所述稳压二极管负极接VDD和第五电阻一端,负极接第四电阻一端、VSS和第二二极管负极,第五电阻另一端接第一二极管正极,第一二极管负极接第二二极管正极,第四电阻另一端接地;所述选择模块由第三~二十二极管和第六电阻及第二电容组成,第二电容一端接VDD,另一端接第六电阻一端和第三、四二级管的负极,第六电阻另一端接地,第五~八二极管分别正负极相连,第九~十二二极管分别正负极相连,第十三~十六二极管分别正负极相连,第十七~二十二极管分别正负极相连,第五、第九、第十三、第十七二极管正极分别接第二至第五三极管的集电极,第三二极管的正极接第八和第十二二极管的负极,第四二极管正极接第十六和第二十二极管的负极;所述开关管模块由第二~五三极管和第七至第十电阻组成,第七至第十电阻一端分别接输入信号B1、B2、B3、B4,第七至第十电阻另一端分别接第二至第五三极管的基极,第二~五三极管的射极接VDD,第二~五三极管的集电极分别接第五、九、十三、十七二极管正极和LNB1、LNB2、LNB3、LNB4端。
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