发明名称 表面处理电解铜箔及其制造方法以及电路基板
摘要 本发明的目的在于提供不采用受到自转鼓表面转印的条纹的影响的S面而具有减少了表面凹凸的平滑的M面的表面处理电解铜箔。所述表面处理电解铜箔中,对作为电解铜箔的与转鼓接触的面相反侧的面的M面实施了表面处理,该M面的Rz在1.0μm以下,Ra在0.2μm以下。所述表面处理电解铜箔通过以下的表面处理电解铜箔的制造方法制造:使用硫酸铜浴以电流密度为20~50A/dm2的条件进行电解镀铜,制造铜箔,对该铜箔的M面实施表面处理,使该M面的Rz在1.0μm以下、Ra在0.2μm以下,所述硫酸铜浴中,铜浓度为50~80g/l,硫酸浓度为30~70g/l,液温为35~45℃,氯浓度为0.01~30ppm,有机硫类化合物、低分子量胶和高分子多糖类的总添加浓度为0.1~100ppm,TOC在400ppm以下。
申请公布号 CN101126168B 申请公布日期 2011.07.27
申请号 CN200710126403.0 申请日期 2007.06.06
申请人 古河电气工业株式会社 发明人 齋藤貴広;松本貞雄;鈴木裕二
分类号 C25D1/04(2006.01)I;C25D3/38(2006.01)I;C25D5/48(2006.01)I;H05K1/09(2006.01)I 主分类号 C25D1/04(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 徐迅
主权项 表面处理电解铜箔,其特征在于,将作为电解铜箔的与转鼓接触面相反侧的M面实施表面处理,该M面的Rz在0.72μm以下,Ra在0.13μm以下,在经表面处理的前述M面中,面积为50μm×50μm的范围内具有平均直径2μm以上大小的铜的突起物在3个以下。
地址 日本东京