发明名称 环氧树脂渗出防止剂
摘要
申请公布号 TWI345815 申请公布日期 2011.07.21
申请号 TW096101555 申请日期 2007.01.16
申请人 日鑛金属股份有限公司 发明人 相场玲宏;中村久;三村智晴;土田克之
分类号 H01L21/52 主分类号 H01L21/52
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项 一种环氧树脂渗出防止剂,系使用于黏晶步骤者,其特征为:含有具碳原子数3个以上24个以下之氟烃基CxHyFz-(x=3至24、y=0至48、z=1至49、y+z≦2x+1)与选自氢硫基、胺基、磷酸酯基、羧基、咪唑基、三唑基及四唑基所成群组之极性基R-的含氟有机化合物。如申请专利范围第1项之环氧树脂渗出防止剂,其中,系含有变色防止剂或封孔处理剂。如申请专利范围第2项之环氧树脂渗出防止剂,其中,变色防止剂为含有含氮杂环状化合物。如申请专利范围第3项之环氧树脂渗出防止剂,其中,含氮杂环状化合物为咪唑衍生物、三唑衍生物、四唑衍生物、噻唑衍生物中之任一种。一种环氧树脂渗出防止方法,其特征为:将电路基材浸渍于含有申请专利范围第1至4项中任一项之环氧树脂渗出防止剂之溶液中,或是将含有该环氧树脂渗出防止剂之溶液散布、涂布到电路基材。一种电路基材,其特征为:藉由将电路基材浸渍于含有申请专利范围第1至4项中任一项之环氧树脂渗出防止剂之溶液中,或是将含有该环氧树脂渗出防止剂之溶液散布、涂布到电路基材而进行了环氧树脂渗出防止处理者。一种电路基材,其特征为:在表面吸附有申请专利范围第1至4项中任一项所述之环氧树脂渗出防止剂。一种半导体封装件,其特征为:使用申请专利范围第6或第7项之电路基材。
地址 日本