| 发明名称 | 绝缘体上半导体芯片 | ||
| 摘要 | 一种绝缘体上半导体(Semiconductor－On－Insulator；SOI)芯片，其提供平台隔离(Mesa Isolation)设置于硅膜覆盖的绝缘体上半导体芯片的一部分上，用以隔离硅膜。本实用新型的隔离结构更可包含传输系统的隔离结构，例如浅沟渠隔离(Shallow Trench Isolation；STI)，以隔离硅膜。 | ||
| 申请公布号 | CN2746535Y | 申请公布日期 | 2005.12.14 |
| 申请号 | CN200420084609.3 | 申请日期 | 2004.07.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 杨育佳 |
| 分类号 | H01L27/12;H01L21/84 | 主分类号 | H01L27/12 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王燕秋 |
| 主权项 | 1.一种绝缘体上半导体芯片，其特征在于，至少包含：一半导体层覆盖于一绝缘层上；具有一第一厚度的一第一区域位于该半导体层中，且该第一区域至少包括数个第一主动区，而该些第一主动区借由一浅沟渠隔离法所定义出；以及具有一第二厚度的一第二区域位于该半导体层中，且该第二区域至少包括数个第二主动区，而该些第二主动区借由一平台隔离法所定义出。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||