| 主权项 |
一种直流-交流转换电路，其包括：一脉冲宽度调制器，该脉冲宽度调制器包括复数脉冲输出端；一驱动电路，该驱动电路包括一直流输入端及复数开关单元，每一开关单元包括至少一P沟道金属氧化物半导体场效应电晶体及至少一N沟道金属氧化物半导体场效应电晶体；及一变压电路，该变压电路包括至少一变压器，每一变压器包括一初级线圈，该初级线圈之一端连接至一开关单元之至少一P沟道金属氧化物半导体场效应电晶体及至少一N沟道金属氧化物半导体场效应电晶体之汲极，该初级线圈之另一端连接至另一开关单元之至少一P沟道金属氧化物半导体场效应电晶体及至少一N沟道金属氧化物半导体场效应电晶体之汲极；其中，每一脉冲输出端用于控制一开关单元。如申请专利范围第1项所述之直流-交流转换电路，其中，每一开关单元之P沟道金属氧化物半导体场效应电晶体及N沟道金属氧化物半导体场效应电晶体之闸极连接至对应脉冲输出端，所有P沟道金属氧化物半导体场效应电晶体之源极连接至直流输入端，所有N沟道金属氧化物半导体场效应电晶体之源极接地。如申请专利范围第1项所述之直流-交流转换电路，其中，该复数脉冲输出端包括一第一脉冲输出端、一第二脉冲输出端、一第三脉冲输出端及一第四脉冲输出端，该第一、第二、第三及第四脉冲输出端所输出之脉冲讯号为具有相同周期之脉冲讯号。如申请专利范围第3项所述之直流-交流转换电路，其中，该第一、第二、第三及第四脉冲输出端所输出之脉冲讯号之占空比为50%，该第一、第三脉冲输出端输出之脉冲讯号之相位相同，该第二、第四脉冲输出端输出之脉冲讯号之相位相同。如申请专利范围第3项所述之直流-交流转换电路，其中，该第一、第二脉冲输出端输出之脉冲讯号之相位差大于零且小于二分之一个周期。如申请专利范围第3项所述之直流-交流转换电路，其中，该复数开关单元包括一第一开关单元、一第二开关单元、一第三开关单元及一第四开关单元，该第一、第二、第三及第四脉冲输出端分别控制该第一、第二、第三及第四开关单元。如申请专利范围第6项所述之直流-交流转换电路，其中，该第一开关单元之P沟道及N沟道金属氧化物半导体场效应电晶体之闸极连接至该第一脉冲输出端，该第二开关单元之P沟道及N沟道金属氧化物半导体场效应电晶体之闸极连接至该第二脉冲输出端，该第三开关单元之P沟道及N沟道金属氧化物半导体场效应电晶体之闸极连接至该第三脉冲输出端，该第四开关单元之P沟道及N沟道金属氧化物半导体场效应电晶体之闸极连接至该第四脉冲输出端。如申请专利范围第7项所述之直流-交流转换电路，其中，该变压电路之至少一变压器为一第一变压器、一第二变压器，该变压电路进一步包括一第一电容及一第二电容，该第一变压器包括一第一初级线圈，该第二变压器包括一第二初级线圈。如申请专利范围第8项所述之直流-交流转换电路，其中，该第一开关单元之P沟道金属氧化物半导体场效应电晶体及N沟道金属氧化物半导体场效应电晶体之汲极连接至该第一初级线圈之一端，该第二开关单元之P沟道金属氧化物半导体场效应电晶体及N沟道金属氧化物半导体场效应电晶体之汲极经由该第一电容连接至该第一初级线圈之另一端。如申请专利范围第8项所述之直流-交流转换电路，其中，该第三开关单元之P沟道金属氧化物半导体场效应电晶体及N沟道金属氧化物半导体场效应电晶体之汲极连接至该第二初级线圈之一端，该第四开关单元之P沟道金属氧化物半导体场效应电晶体及N沟道金属氧化物半导体场效应电晶体之汲极经由该第二电容连接至该第二初级线圈之另一端。 |
