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Licht emittierende Halbleitervorrichtung, welche aufweist: eine erste und zweite leitfähige Nitridschicht; und eine Vielzahl aktiver Bereiche, die Licht mit unterschiedlicher Wellenlänge emittieren, und nacheinander zwischen der ersten und zweiten leitfähigen Nitridschicht gebildet sind, wobei die aktiven Bereiche wenigstens einen ersten aktiven Bereich mit einer Vielzahl von ersten Quantenbarriereschichten und Quantentrogschichten und einen zweiten Bereich aufweisen, der Licht mit einer Wellenlänge emittiert, die größer ist als die des ersten aktiven Bereichs, und wobei nur der zweite aktive Bereich eine Vielzahl von zweiten Quantenbarriereschichten und wenigstens eine unterbrochene Quantentrogstruktur aufweist, die zwischen der Vielzahl zweiter Quantenbarriereschichten gebildet ist, wobei die unterbrochene Quantentrogstruktur jeweils eine Vielzahl an Quantenpunkten oder Kristalliten aufweist, wobei die Quantenbarriereschichten und Quantentrogstrukturen des ersten und zweiten aktiven Bereichts unmittelbar aufeinander folgen.
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