| 发明名称 | EEPROM的浮栅制造方法及其制造的浮栅 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种EEPROM的浮栅制造方法，包括如下步骤：第1步，对硅片表面的多晶硅层进行刻蚀，形成浮栅，所述浮栅的侧壁具有70～80度的倾斜角度；所述硅片为：硅衬底上已形成有栅氧化层和隧穿氧化层，硅衬底中已有隔离结构，硅衬底表面已淀积有一层多晶硅；第2步，采用热氧化生长工艺使浮栅表面生长一层氧化硅；第3步，在硅片表面先后淀积一层氮化硅和氧化硅，浮栅上方的氧化硅、氮化硅、氧化硅三者一起构成了ONO层。本发明通过改进浮栅刻蚀的形貌为倾斜，以及以热氧化生长工艺对浮栅上角进行倒角，从而提高了EEPROM的数据保持特性。 | ||
| 申请公布号 | CN102129976A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010027282.6 | 申请日期 | 2010.01.18 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈广龙;陈昊瑜 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王关根 |
| 主权项 | 一种EEPROM的浮栅制造方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，对硅片表面的多晶硅层进行刻蚀，形成浮栅，所述浮栅的侧壁具有70～80度的倾斜角度；所述硅片为：硅衬底上已形成有栅氧化层和隧穿氧化层，硅衬底中已有隔离结构，硅衬底表面已淀积有一层多晶硅；第2步，采用热氧化生长工艺使浮栅表面生长一层氧化硅；第3步，在硅片表面先后淀积一层氮化硅和氧化硅，浮栅上方的氧化硅、氮化硅、氧化硅三者一起构成了ONO层。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||