| 发明名称 | 半导体激光二极管发光单元及器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光二极管发光单元及器件。该发光单元输出激光的功率大于0.2W，其结构自下往上包括：第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层和第二限制层，其中：第一限制层和第二限制层，用于形成PN结进行载流子输入；第一波导层和第二波导层的厚度均介于400～600nm之间，用于形成激光传输的通路；量子阱层，用于作为有源区产生激光。本发明通过增加发光单元中波导层的厚度，能够有效地提高半导体激光二极管的COD阈值。 | ||
| 申请公布号 | CN102130423A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201110033774.0 | 申请日期 | 2011.01.31 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 郑凯;王俊;熊聪;马骁宇 |
| 分类号 | H01S5/20(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种半导体激光二极管发光单元，其特征在于，该发光单元输出激光的功率大于0.2W，其结构自下往上包括：第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层和第二限制层，其中：所述第一限制层和第二限制层，用于形成PN结进行载流子输入；所述第一波导层和第二波导层的厚度均介于400～600nm之间，用于形成激光传输的通路；所述量子阱层，用于作为有源区产生激光。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||