一种导电性复合原子氧防护涂层ITO/MgF₂的制备方法

摘要

本发明涉及一种导电性复合原子氧防护涂层ITO/MgF2的制备方法，特别是采用磁控溅射法用复合靶制备ITO/MgF2导电性复合涂层来实现基底材料的原子氧防护，属于航空航天技术领域。用导电胶将MgF2片状材料均匀粘贴在ITO靶上，然后将ITO/MgF2复合靶安装在磁控溅射设备的靶座上，得到了ITO/MgF2导电型复合原子氧防护涂层。ITO/MgF2复合涂层原子氧防护性能良好、有导电性，在空间等离子体环境中不积累静电；ITO/MgF2复合涂层柔韧性好，在用于柔性薄膜等需卷绕表面有明显优势；ITO/MgF2复合涂层对光线有增透作用，用于一些光学器件可提高工作效率。

主权项

一种导电性复合原子氧防护涂层ITO/MgF2的制备方法，其特征在于：(1)制备圆形ITO靶，其中In2O3的摩尔百分含量为91％、SnO2的摩尔百分含量为9％；(2)制备与ITO靶同直径、扇形的MgF2片状材料；(3)用导电胶将MgF2片状材料均匀粘贴在ITO靶上；(4)将(3)制备的ITO/MgF2复合靶安装在磁控溅射设备的靶座上，磁控溅射设备抽真空至2×10‑3Pa，然后通入Ar气，开启磁控溅射靶电源，靶面产生辉光放电，Ar离子流对ITO/MgF2靶进行轰击，从靶面溅射出ITO和MgF2，沉积在涂层基底上，得到ITO/MgF2导电型复合原子氧防护涂层；沉积放电功率为100～120W、放电气压为4×10‑1～5×10‑1Pa，沉积时间为50～60min；(5)对沉积的ITO/MgF2涂层进行真空热处理，真空度为2×10‑2Pa，温度为200℃，处理时间为60min。